存储芯片爆发 三星电子利润创纪录

1񀙘日，三星电子披露业绩数据，核实按合并财务报表口径计算的公�年第四季度营业利润同比大�.2%，达到创纪录�万亿韩元（约�亿美元）。销售额同比增�.7%，也创下历史新高。

三星电子业绩高增主要原因是供应紧张和AI驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。三星是全球三大存储芯片供应商之一。

数据显示，去年第四季度三星电子营业利润�万亿韩元（约合人民�亿元），同比剧�.2%，环比增�.3%；销售额�万亿韩元，同比增�.7%，环比增𳩈.1%。两项业绩均高出市场预期。据统计，市场曾预测三星电�年四季度营业利润将同比增�.6%，�.6457万亿韩元；销售额将同比增�.1%，�.5445万亿韩元。

回溯历史数据，三星电子此前的单季营业利润峰值�年第三季度创下�.6万亿韩元，此�万亿韩元的业绩不仅打破了这一保持多年的纪录，更较上年同期񊄮.49万亿韩元实现翻倍以上增长。

三星计划𱆍�日公�年第四季度正式财报，包括各业务部门的具体利润。目前，存储芯片价格依然在继续上涨中，且涨幅惊人。三星依然是受益者，会推�年年度的业绩。

AI服务器对存储芯片的需求量达到普通服务器񊄰�倍。这导致高端存储芯片供应陷入严重短缺，引发价格“失控式”上涨。据TrendForce集邦咨询数据，�𻂑月以来，DDR5内存颗粒现货价格暴�%，DDR4涨幅也�%，第四季度全球一般型DRAM价格季𷘴%—13%，若计入HBM则涨幅扩大�%—18%；NAND Flash各类产品合约价全面上涨，平均涨幅񙵱%—10%。

作为全球最大的内存芯片制造商，三星电子通过产能结构优化抓住了这一轮涨价红利。公司大幅缩减消费级通用存储芯片的产能，将资源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利产品的生产，尤其是在HBM领域实现关键突破。

三星电子此前在HBM领域一度落后于竞争对手SK海力士和美光科技，而目前这一差距正在缩小。受此影响，三星股价�年上涨�%，创�年来最大年度涨幅。

日前，韩国媒体《韩国经济日报》援引行业匿名人士消息，三星电子与SK海力士计划�年第一季度将服务器DRAM价格�年第四季度提�%�%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。

上述报道称，两家公司此次提价策略基于对市场需求持续走强的预判。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵活适应价格变动。

TrendForce最新调查也对今年一季度存储芯片价格做出了预判，传统DRAM合约价格环比上涨�%�%，NAND闪存产品类别的合约价格上�%�%。

TrendForce还预计，2026年第一季度服务器DRAM的价格将环比上涨超�%。

TrendForce表示，人工智能推理驱动的基础设施发展持续推动着美国通信服务提供商（CSP）的采购。�年底以来，这些公司一直在拉拢订单，从而增加了对服务器DRAM的需求。随着供应商库存接近枯竭，出货量增长完全依赖于晶圆产量的增加，供应紧张的局面持续加剧。

里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示，2025年四季度，DRAM芯片的平均售价环比上涨�%，NAND闪存的平均售价环比上涨了�%。“超大规模数据中心运营商和云服务商正在大量采购DRAM，而且愿意支付溢价。”Rana表示，并补充称，强劲价格走势有望贯穿整�年，甚至延续�年上半年，“即便在那之后，价格也可能不会明显回落，因为市场需求过于强劲，而供应端则处于紧张状态”。

根据最新报道，三星电子已�年向英伟达交付其尖端的HBM4样品进行资格测试，公司也有望�年上半年开始大规模生产，以支持英伟达即将推出的Rubin处理器。CLSA预计，随着HBM4进入商业供应阶段，三星的HBM总出货量将�年增加两倍。

北京商报综合报道